Schneller Speicher: Samsung fertigt DDR3-Chips in 30-Nanometertechnik
Posted by on Jul 21, 2010 in IT News / Distribution / Retail / Einzelhandel / CE News |
Samsung hat begonnen, DDR3-Speicher mit 2 Gigabit Kapazität in einem 30-Nanometer-Prozess herzustellen. Die Chips sollen deutlich schneller sein als Chips in höheren Strukturbreiten. (Samsung)
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